IGBT

  新一代(TrenchFSII)IGBT系列產品，基于溝槽電場截止型IGBT技術(TrenchFieldStop)理論，進一步優化了器件結構，采用了先進超薄片工藝制程(UltraThinWaferProcess)，大幅提高了器件的功率密度，顯著改善了動態、靜態性能。相比上一代(TrenchFS)IGBT，新一代(TrenchFSII)IGBT芯片面積更小，芯片厚度更薄;導通壓降(VCEsat)降低約0.3V，開關損耗降低20%以上;器件可耐工作溫度更高，使用壽命更長;且維持了較強的短路能力、較高的參數一致性;綜合性能達到業內領先水平。

  針對不同的應用需求，推出了完善的IGBT產品系列，確保在特定應用中，器件保持最佳工作狀態，助您實現最理想的整機效率。

  對于焊接、太陽能、UPS、電機驅動和家用電器等硬開關應用，推出了低速(<20KHZ)和高速系列(<60KHZ)產品系列，提供各種封裝形式，方便用戶靈活設計。

  對于感應加熱、太陽能等諧振開關應用，推出了新一代1200V、1350V產品系列，具有高擊穿電壓、大通流容量等優勢;與反并聯二極管或單片集成二極管合并封裝，方便應用設計。

  特點與優勢：

  - 低導通壓降(VCEsat)

  - 低開關損耗(Ets)

  - 短路能力10us

  - 低電磁干擾

  - 電參數重復性和一致性

  - 高可靠性

  - 高溫穩定性

  - 符合RoHS標準

  應用：

  - 電機驅動

  - 逆變焊機

  - 不間斷電源UPS

  - 變頻器

  - 工業逆變器

  - 太陽能功率轉換器

  - 電磁感應加熱

  - 諧振開關應用